English | 中文版 | 手機(jī)版 企業(yè)登錄 | 個(gè)人登錄 | 郵件訂閱
生物器材網(wǎng) logo
生物儀器 試劑 耗材
當(dāng)前位置 > 首頁(yè) > 技術(shù)文章 > 智能顯微新時(shí)代,讓微觀世界觸手可及:2026飛納電鏡選型指南

智能顯微新時(shí)代,讓微觀世界觸手可及:2026飛納電鏡選型指南

瀏覽次數(shù):249 發(fā)布日期:2026-2-26  來(lái)源:本站 僅供參考,謝絕轉(zhuǎn)載,否則責(zé)任自負(fù)

2026飛納電鏡選型
飛納(Phenom)源自 FEI,誕生于荷蘭“發(fā)明之城”埃因霍溫,以“任何人都可用的掃描電鏡”理念享譽(yù)全球,現(xiàn)已發(fā)展成為臺(tái)式掃描電鏡領(lǐng)域的領(lǐng)先品牌。始終致力于讓掃描電鏡測(cè)試更簡(jiǎn)單、更高效,是飛納不變的初心。


2026 年,飛納電鏡迎來(lái)第七代產(chǎn)品革新,為中國(guó) 2500+ 用戶帶來(lái)更智能、更高效、更可靠的顯微分析體驗(yàn)。覆蓋數(shù)百所高校、中科院等科研院所、政府機(jī)構(gòu),以及新能源、生命科學(xué)等多個(gè)工業(yè)領(lǐng)域。其應(yīng)用研究方向廣泛,涵蓋金屬與合金、電池、地質(zhì)與考古、高分子材料、靜電紡絲、陶瓷與復(fù)合材料、生物醫(yī)學(xué)、微生物等多個(gè)前沿與交叉學(xué)科。

掃描電鏡應(yīng)用領(lǐng)域

同時(shí),飛納電鏡支持拓展 EBL 功能,自主編程功能,原位拉伸/壓縮功能,原位加熱/冷凍功能,樣品真空轉(zhuǎn)移等,亦可進(jìn)行定制化。

制樣簡(jiǎn)單 無(wú)需噴金即可觀察不導(dǎo)電樣品

掃描電鏡制樣

Part 01臺(tái)式場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡
飛納臺(tái)式場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡采用完全防震設(shè)計(jì),在緊湊的臺(tái)式機(jī)身上實(shí)現(xiàn)接近大型場(chǎng)發(fā)射電鏡的成像性能。其卓越的低電壓成像能力有效降低電子束對(duì)樣品的損傷與穿透,最大程度還原樣品的真實(shí)表面形貌。

在延續(xù)電鏡與能譜一體化設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上,系統(tǒng)進(jìn)一步升級(jí)快速面掃描功能,可即時(shí)呈現(xiàn)元素分布;配合實(shí)時(shí)能譜分析,實(shí)現(xiàn)成分信息的同步獲取,顯著提升檢測(cè)效率與分析可靠性。

產(chǎn)品特點(diǎn)
  • 肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍
  • 分辨率最高的臺(tái)式電鏡
  • 可選 STEM 模式:BF、DF、HAADF 像
  • 卓越的低電壓成像
  • 電鏡能譜一體化設(shè)計(jì)
  • 不受震動(dòng)、磁場(chǎng)等環(huán)境因素干擾
型號(hào)推薦

飛納場(chǎng)發(fā)射掃描透射電鏡

Pharos STEM 掃描透射電鏡

  • 分辨率:優(yōu)于 1nm
  • 成像模式:BF、DF、HAADF

臺(tái)市場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡

Pharos G2 臺(tái)式場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡
  • 分辨率:優(yōu)于 1.5 nm
  • 放大倍數(shù):2,000,000 X

場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡

Nano G2 臺(tái)式場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡

  • 分辨率:優(yōu)于 2.5 nm
  • 放大倍數(shù):1,000,000 X

Part 02 CeB6 燈絲掃描電鏡
全新一代 CeB₆ 晶體燈絲掃描電鏡實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵性能突破,首次將單根燈絲壽命提升至 3000 小時(shí),使燈絲更換周期由平均 3 年延長(zhǎng)至約 5 年,顯著降低維護(hù)頻率與使用成本。

飛納電鏡采用臺(tái)式一體化設(shè)計(jì),具備完全防震能力,對(duì)安裝環(huán)境要求低。操作流程高度簡(jiǎn)化,適配不同經(jīng)驗(yàn)層級(jí)的用戶,僅需約 30 分鐘培訓(xùn)即可獨(dú)立上手。同時(shí),系統(tǒng)支持多種特色功能擴(kuò)展,滿足科研與工業(yè)應(yīng)用的多樣化需求。

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 穩(wěn)定可靠:80  年頂尖技術(shù)傳承
  • 獨(dú)家采用 CeB 晶體燈絲:3000h 超長(zhǎng)使用壽命,平均 5 年換燈絲
  • 自動(dòng)化與 AI 智能掃描電鏡
  • 內(nèi)置專利減震系統(tǒng),可直接放置于生產(chǎn)車間、高樓層 QC 實(shí)驗(yàn)室等
  • 原廠集成能譜 EDS:從電子光學(xué)設(shè)置、圖像采集到能譜分析和面分布,都在同一個(gè)統(tǒng)一、直觀的界面中完成
  • 卓越的低電壓成像功能:對(duì)于不導(dǎo)電、導(dǎo)電性差、以及電子束敏感樣品,不噴金,仍具有卓越的成像能力

型號(hào)推薦

臺(tái)式掃描電鏡大倉(cāng)版

Phenom XL G3 大倉(cāng)室自動(dòng)化電鏡
最新發(fā)布的大倉(cāng)室自動(dòng)化掃描電鏡 Phenom XL G3,以 3000 小時(shí)長(zhǎng)壽命 CeB₆ 晶體燈絲與全新 AI 智能自動(dòng)化平臺(tái)為核心,實(shí)現(xiàn)性能穩(wěn)定性與檢測(cè)效率的雙重躍升。Phenom XL 可對(duì)最大 100x100mm 的樣品進(jìn)行分析,8nm 的分辨率為分析提供更多的細(xì)節(jié)。在保證高分辨率成像與元素分析能力的同時(shí),大幅降低維護(hù)頻次與使用門(mén)檻,顯著提升設(shè)備稼動(dòng)率。

小倉(cāng)型號(hào)推薦

臺(tái)式掃描電鏡能譜一體機(jī)

Phenom ProX G7

  • 放大倍數(shù):350,000 X
  • 分辨率:優(yōu)于 6 nm
  • 探測(cè)器:BSD,SED(可選),EDS

臺(tái)式掃描電鏡

Phenom Pro G7

  • 放大倍數(shù):350,000 X
  • 分辨率:優(yōu)于 6 nm
  • 探測(cè)器:BSD,SED(可選)

Phenom Pure G7

  • 放大倍數(shù):175,000 X
  • 分辨率:優(yōu)于 10 nm
  • 探測(cè)器:BSD,SED(可選)

Part 03AI 智能化掃描電鏡
Phenom AI 智能掃描電鏡,支持全流程自動(dòng)成像和自由編程(PPI)功能(適配所有飛納型號(hào)),為微觀世界的探索帶來(lái)了前所未有的自由度和無(wú)限可能。

智能掃描電鏡

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 機(jī)械手自動(dòng)上樣:無(wú)需人工,高一致性標(biāo)準(zhǔn)操作
  • 全流程自動(dòng)成像與參數(shù)調(diào)節(jié)
  • 數(shù)據(jù)數(shù)字化回傳
  • 自由編程:打造私人訂制工作流
  • 高穩(wěn)定性環(huán)境適應(yīng)能力
  • 大幅提高工作效率

Part 04.ParticleX 全自動(dòng)掃描電鏡
ParticleX 基于掃描電鏡與能譜分析技術(shù),融合自動(dòng)化控制系統(tǒng)與高性能數(shù)據(jù)庫(kù)平臺(tái),實(shí)現(xiàn)雜質(zhì)顆粒的全自動(dòng)識(shí)別、成分分析及分類統(tǒng)計(jì)。系統(tǒng)可在無(wú)人干預(yù)條件下完成從檢測(cè)到數(shù)據(jù)輸出的完整流程,為研發(fā)與生產(chǎn)過(guò)程提供快速、準(zhǔn)確且可追溯的定量數(shù)據(jù)支持,顯著提升分析效率與質(zhì)量管控水平。

型號(hào)推薦

鋰電清潔度

ParticleX Battery 全自動(dòng)鋰電清潔度分析
  • Cu、Zn 異物及鐵磁性異物檢測(cè)

汽車清潔度

ParticleX AC 全自動(dòng)汽車清潔度檢測(cè)
  • 符合 ISO16232,VDA19 標(biāo)準(zhǔn)
  • 全自動(dòng)檢測(cè) SiO,AlO等硬質(zhì)顆粒和成分

鋼鐵夾雜物

ParticleX Steel 全自動(dòng)鋼鐵夾雜物分析
  • 一體化鋼中非金屬夾雜物分析

全自動(dòng)顆粒統(tǒng)計(jì)分析

ParticleX 全自動(dòng)顆粒統(tǒng)計(jì)分析
  • 顆粒分析及過(guò)程控制的工業(yè)級(jí)解決方案
Part 05 刑偵專用掃描電鏡

Diatom AI 自動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)(電鏡)

Diatom AI 自動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)(電鏡)
DiatomAI™ 利用人工智能的技術(shù),賦能法醫(yī)硅藻檢驗(yàn)系統(tǒng),配合 DiatomScope™ ,實(shí)現(xiàn)了掃描和檢測(cè)的全自動(dòng)化。它是目前市面上最可靠、最高效、自動(dòng)化程度最高的硅藻檢測(cè)解決方案,幫助法醫(yī)在檢測(cè)過(guò)程中實(shí)現(xiàn)硅藻的全自動(dòng)檢測(cè),識(shí)別過(guò)程全程無(wú)需人工參與。大大縮短了檢測(cè)時(shí)間,提升工作效率。

Phenom GSR 槍擊殘留物分析

Phenom GSR 槍擊殘留物分析
在槍支犯罪事件中,槍擊殘留物(GSR)的分析發(fā)揮著重要的作用。GSR 分析技術(shù)首先基于掃描電子顯微鏡(SEM)的背散射成像,用來(lái)掃描樣品和發(fā)現(xiàn) “可疑” 的 GSR 顆粒。一旦發(fā)現(xiàn)可疑的顆粒,使用能譜(EDS)識(shí)別該顆粒的元素。最常見(jiàn)的搜索元素為 Pb,Sb 和 Ba。無(wú)鉛底火的檢測(cè),例如 Ti 和 Zn 也可作為搜索條件進(jìn)行搜索。

Part 06.原子力顯微鏡系列
1.Phenom AFM-in-SEM 原子力掃描電鏡一體機(jī)

原子力掃描電鏡一體機(jī)

產(chǎn)品特點(diǎn)
  • 相關(guān)多模態(tài)樣品分析:可將同位置的 AFM (三維形貌、電學(xué)、磁學(xué)等) 和 SEM (二維形貌、EDS等)數(shù)據(jù)無(wú)縫關(guān)聯(lián)。
  • 原位樣品表征:在 SEM 內(nèi)部的原位條件下確保樣品分析同時(shí)、同地、同條件下進(jìn)行,在飛納電鏡內(nèi)部也能實(shí)現(xiàn)原子級(jí)分辨率。
  • 精確定位感興趣區(qū)域:使用 SEM 導(dǎo)航 AFM 尖端到感興趣區(qū)域,定位更精準(zhǔn),且定位速度遠(yuǎn)超傳統(tǒng) AFM。
2.LiteScope AFM-SEM 電鏡式原子力顯微鏡

電鏡式原子力顯微鏡

產(chǎn)品特點(diǎn)
  • 使用 SEM 對(duì) AFM 探針進(jìn)行精準(zhǔn)定位,并實(shí)現(xiàn)高分辨成像
  • 同一時(shí)間、同一位置和相同條件下獲取 AFM 和 SEM 數(shù)據(jù),并無(wú)縫關(guān)聯(lián)
  • 測(cè)量模式可涵蓋形貌、CPEM、KPFM、MFM、PFM、STM、EFM、C-AFM、I/V 特性、F/z 特性等,可選配納米壓痕
  • 可兼容賽默飛世爾、TESCAN、蔡司、日立、日本電子等主流品牌,其他品牌亦可定制
3.icspi 原子力顯微鏡
icspi 是一家專注于掃描探針顯微技術(shù)的加拿大高科技公司,在原子力顯微鏡系統(tǒng)設(shè)計(jì)、探針控制與納米級(jí)表征技術(shù)方面擁有深厚的技術(shù)積累。其 AFM 產(chǎn)品以高穩(wěn)定性、高重復(fù)性及靈活的模塊化架構(gòu)著稱,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件表征、薄膜與納米材料研究、精密表面形貌分析等領(lǐng)域。

型號(hào)推薦
Redux AFM 全自動(dòng)桌面式原子力顯微鏡
  • 臺(tái)式 AFM 的最快數(shù)據(jù)獲取時(shí)間
  • 自動(dòng)配置、接近和掃描
  • 電動(dòng) XY 和 Z 平臺(tái),可輕松定位樣品
  • 集成光學(xué)顯微鏡
  • 易于使用、耐用的 AFM 芯片
nGauge AFM 便攜式原子力顯微鏡
  • 從樣品加載到獲得 3D 納米級(jí)數(shù)據(jù),只需不到三分鐘
  • 一鍵式自動(dòng)操作,幾秒鐘內(nèi)即可將探針尖端對(duì)準(zhǔn)樣品
  • 每個(gè)芯片都能進(jìn)行 1000 次以上的掃描而無(wú)明顯磨損
  • 維護(hù)成本低,操作簡(jiǎn)便
Part 07.SEM 樣品制備-離子研磨儀
SEMPREP SMART 配備了高能量和可選的低能量氬離子槍。用于掃描電子顯微鏡(SEM)和電子背散射衍射(EBSD)樣品的最終加工和清潔。離子加工可以改進(jìn)和清潔機(jī)械拋光的 SEM 樣品,并為 EBSD 分析制備無(wú)損表面。該設(shè)備還適用于快速截面加工。為您制備高精度和高質(zhì)量的樣品,例如在半導(dǎo)體測(cè)試或鋰離子電池隔膜的截面檢查中均能實(shí)現(xiàn)出色的效果。

離子研磨儀

產(chǎn)品特點(diǎn)
  • 氬離子束無(wú)應(yīng)力處理樣品
  • 定位精準(zhǔn):可實(shí)現(xiàn) ±1 微米
  • 離子槍能量最高:0-16kV
  • 超大樣品腔室:可容納直徑 50mm 樣品
  • 獨(dú)家制冷設(shè)計(jì):液氮 LN 制冷
  • 可選配真空轉(zhuǎn)移功能
應(yīng)用案例|電子器件失效分析
在對(duì)焊接部位的焊接情況進(jìn)行分析時(shí),需要觀測(cè)該部位剖面的合金相分布情況,此時(shí)需要用到截面切削的制樣設(shè)備--離子研磨儀,進(jìn)行無(wú)應(yīng)力樣品切削制備后,使用飛納電鏡進(jìn)一步分析焊接情況。

離子研磨儀

進(jìn)一步結(jié)合 EDS 能譜面掃分析可知:銀-錫膏和銅面結(jié)合,界面有銅-錫為主合金化晶粒生長(zhǎng),銅引腳有鍍鎳層,并在內(nèi)部發(fā)現(xiàn)有大量的鐵富集相夾雜,近銅界面發(fā)現(xiàn)有氣孔存在。

離子研磨儀焊錫截面 EDS 能譜面掃結(jié)果
焊錫截面 EDS 能譜面掃結(jié)果

使用 SEMPREP SMART 處理后的 SEM 圖:

離子研磨儀處理后的掃描電鏡圖

發(fā)布者:復(fù)納科學(xué)儀器(上海)有限公司
聯(lián)系電話:400-857-8882
E-mail:cici.yang@phenom-china.com

標(biāo)簽: 掃描電鏡 飛納電鏡
用戶名: 密碼: 匿名 快速注冊(cè) 忘記密碼
評(píng)論只代表網(wǎng)友觀點(diǎn),不代表本站觀點(diǎn)。 請(qǐng)輸入驗(yàn)證碼: 8795
Copyright(C) 1998-2026 生物器材網(wǎng) 電話:021-64166852;13621656896 E-mail:info@bio-equip.com